成果

一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法

专利(申请号):CN201310169904.2

专利类型:发明专利

技术成熟度:正在研发

所 在 地:陕西西安

最近更新:2018-11-13 08:59:02

行    业:电气自动化-自动化元件

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    本发明提供了一种在Si表面生成0‑50纳米任意高度纳米台阶的方法,首先采用原子层沉积法在Si基底上制备Al2O3薄膜,然后采用光刻工艺将纳米台阶平面图形转移到Al2O3薄膜,通过湿法刻蚀对样品进行腐蚀,去除掩蔽层,得到纳米台阶结构;所得的纳米台阶具有表面粗糙度小,高度可控的特点,能够为纳米台阶样板的制备提供一个新的方法。

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